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InP レーザーダイオード製造プロセス
多様な材料のデバイス製造向けプラズマエッチング・プラズマデポジション ソリューション
電気自動車(EV)などの新技術では、高効率な電力変換が求められるため高性能であることが必要です。SiCやGaNなどの材料を使用することでエネルギー損失を低減できます。原子層堆積法 (ALD)や、プラズマエッチング・プラズマデポジションのテクノロジーにより、プロセスが最適化され高効率なデバイス製造が可能になります。当社のALDは、最適なパッシベーション膜の製造を可能にし、GaN/AlGaNデバイスのしきい値電圧のゆらぎを低減します。
GaNとSiCの両方に対する当社のエッチングプロセスは、最小限のダメージで高品質なサイドウォールを生成し、最高のパフォーマンスを保証します。
電気自動車(EV)などの新技術では、高効率な電力変換が求められるため高性能であることが必要です。SiCやGaNなどの材料を使用することでエネルギー損失を低減できます。原子層堆積法(ALD)や、プラズマエッチング・プラズマデポジションのテクノロジーにより、プロセスが最適化され高効率なデバイス製造が可能になります。当社のALDは、最適なパッシベーション膜の製造を可能にし、GaN/AlGaNデバイスのしきい値電圧のゆらぎを低減します。
GaNとSiCの両方に対する当社のエッチングプロセスは、最小限のダメージで高品質なサイドウォールを生成し、最高のパフォーマンスを保証します。
レーザーには、高速通信からLiDARによる自動運転車の実現まで、様々なアプリケーションがあります。オックスフォード・インストゥルメンツは、長くレーザーダイオードに必要なIII-V族半導体製造プロセスを開発してきました。どのような材料を使用する場合であっても究極的な加工制御は不可欠です。当社ではAlGaNやInPなどに対応するプロセスを提供しています。