日程：2024年7月10日（水）～11日（木）15:30 - 15:50

「低欠陥SiCウェハ製造向けプラズマエッチング技術およびEBSD・ラマン・AFMによる表面分析」

8インチウェハに対応し、デバイスの歩留まり向上に期待できる製造技術および非破壊表面分析技術の測定例をご紹介します。低欠陥SiCウェハ製造を低コストに実現するため、PPDE（プラズマ研磨ドライエッチング）によるエピ成長前のウェハ表面処理技術の提案を行っています。CMPの代替技術として期待されているPPDE後の表面を、SEM-EBSD、共焦点ラマン顕微鏡、原子間力顕微鏡により分析し、表面のSiC結晶性が高くなっていることが示されました。

配信方法：Zoom

申込締切：7月4日（木）23:59まで

申し込みSEMIパートナーサーチのウェブサイトをご覧ください。