31 August 2023
SiC結晶品質向上のための高度な測定技術
オックスフォード・インストゥルメンツ、SiC基板研磨ソリューションの結晶品質向上を確認
SiC結晶品質の特性分析および評価に用いられる高度な計測技術により、プラズマ研磨プロセスによって表面下のダメージが除去され、結晶構造が改善されることが確認されました。
オックスフォード・インストゥルメンツは、今年9月にイタリアのソレントで開催される炭化ケイ素および関連材料に関する国際会議（ICSCRM）2023において、炭化ケイ素（SiC）半導体デバイス製造のための高度な材料分析技術を活用し、結晶の品質や表面下のダメージの有無を評価するグループ全体の取り組みの詳細を発表します。
ICSCRM2022において、オックスフォード・インストゥルメンツは、広範なSiCデバイス用のSiC基板の前処理に使用される革新的なプラズマドライエッチング技術であるプラズマ研磨を発表しました。プラズマ研磨は、ベンチマーク・デバイスで外部検証済みであり、SiCデバイスの製造フロー全体からコストと製造の複雑さの問題を解消し、結晶品質を高め、ウェットクリーニングと研磨の手間を削減することが可能になります。
イメージ：エッチングチャンバー内の200mm SiC ウェハ
「私たちはこの技術を前進させ、お客様がプラズマポリッシュの利点を活用できるようにすることで、エピレディ基板用の現在の加工技術のプロセス領域を広げ、製造工程においてより多くの材料を使用できるようにします。このユニークな方法で展開されるオックスフォード・インストゥルメンツのグループ企業内でアクセス可能な計測の範囲は、プラズマ研磨の生産価値を検証するものです。新しい測定技術は、プラズマ研磨技術がダメージを受けた材料を優先的にターゲットとして除去し、より高い結晶品質をもたらし、エピやデバイスに使用できる最高品質の材料を残すことを確認しました。上流工程と下流工程の両方を改善することで、基板コストを削減し、製造工程に技術的なメリットをもたらします」 Roger Proksch（オックスフォード・インストゥルメンツCTO）
オックスフォード・インストゥルメンツは、9月21日午前9時からUlisse's Roomで開催される国際炭化ケイ素および関連材料会議（ICSCRM）2023でプレゼンテーションを行います。オックスフォード・インストゥルメンツのチームは、会議期間中、フロアAのブースNo.3でプラズマ研磨と当社のデモ測定についてご説明いたします。
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本プレスリリースは、イギリス時間8月31日に発表した『Advanced Metrology for SiC Crystal Quality Improvement』の抄訳です。
