03 October 2016
オックスフォード・インストゥルメンツ、RFデバイス製造に向けて、SiCビアエッチング技術を開発
広範囲の用途に対するプロセス・ソリューションで世界をリードする、オックスフォード・インストゥルメンツは、高機能PlasmaPro100 Polarisエッチング・システムを活用した、SiCビアプラズマ・エッチングプロセス技術を開発し公開したことを、謹んで発表します。
SiCは、特に高機能GaN基RFデバイスの分野で、基板として用いることで益々重要な材料になりつつあります。SiCを通じたスムースなビアプラズマ・エッチングは、このようなデバイスを作成する上で不可欠であり、オックスフォード・インストゥルメンツは、高品質のSiCビアを効率的にエッチングする、理想的なソリューションを開発しました。同じハードウェア内における、低損傷のGaNエッチングと組み合わせることにより、PlasmaPro100 Polarisは、GaN基RFデバイスのプラズマエッチング処理の必要条件に適応した能力を発揮します。
開発した技術は、SiCビア用途に適した、幾つかのプロセス能力を提供します：
- 最大のスループットを可能にする、高いSiCエッチング速度
- エッチング後のメタライゼーションを円滑にする、スムースな側壁
- GaNデバイス層の上にスムースかつ低損傷の仕上がりを与える、下層GaN層に関する高選択性
- オックスフォード・インストゥルメンツの特許に基づく静電クランプ技術を使った、優れたサンプル温度制御と最大歩留まりを可能にする、サファイア・キャリアによるクランプ
- 先進プラズマ源技術による、同一ツール内でのSiCとGaNエッチング能力
- 長い平均洗浄間時間（MTBC）による、高稼働率
オックスフォード・インストゥルメンツ・プラズマテクノロジーの光電子デバイス製品マネジャーのMark Dineen博士は、「当社の応用スペシャリストは、PlasmaPro100 Polarisエッチング・システムに搭載されたSiCビアプラズマ・エッチングプロセス技術を開発するのに長い時間をかけましたが、色々なメリットの中でも、高い選択性とスループットを達成しました。これにより、お客様は、先進プラズマ源技術を通じて、同一のツール内でSiCとGaNの両方のエッチングが可能になります。」と、コメントしています。
オックスフォード・インストゥルメンツは、世界を主導するプラズマ処理システムを提供し、グローバルなサポートとサービスネットワークに支えられた、6,000以上のソリューションのラインナップを準備しております。