30 June 2023
インド科学研究所 (IISc) ・GEECIへのGaNプロセスシステム導入について
インド電子情報技術省 (MeitY) と科学イノベーション開発財団 インド科学研究所 (バンガロール) がイニシアチブをとるGaNエコシステム実現センター・インキュベーター (GEECI) に、当社オックスフォード・インストゥルメンツのプラズマテクノロジーのプラズマプロセスソリューション一式をGaNパワーデバイスおよびRFデバイス パイロット生産ラインに導入しました。
当社プラズマテクノロジーは、ベンガルール（旧称バンガロール）にあるインド科学研究所 (IISc) のナノサイエンス工学センター (CeNSE) を拠点とする GaN エコシステム実現センター・インキュベーター (GEECI) に、大規模システムを納入したことを発表いたします。パイロット生産ラインに導入される技術には、原子層エッチング (ALE)、2種類の誘導結合プラズマ (ICP) エッチングモジュール、プラズマ化学気相成長 (PECVD） などがあります。一連の窒化ガリウム (GaN) プラズマプロセス ソリューションは、次世代の GaN-on-Si や GaN-on-SiC といった高出力・高周波パワーエレクトロニクスと RFデバイスの高効率化および高性能化の開発に使用されます。
最近のGaNデバイスの採用は著しく増加しています。民生用急速充電器のような需要の高いパワーエレクトロニクス・アプリケーションに牽引され、モバイル・ネットワークの無線周波数 (RF) 電力増幅デバイス、電気自動車の車載/車外充電器、データセンター向けスイッチング・デバイスの市場ニーズが高まっています。
駆動系用インバーターモジュールや大規模産業用電力変換のようなアプリケーションも加わり、GaNの市場規模は2027年までに年間20億ドルを超えると予測されています。ドライブトレイン用インバーターモジュールや大規模産業用電力変換のようなアプリケーションも加わり、GaNの市場規模は2027年までに年間20億ドルを超えると予測されています。GaNは、RFデバイスやパワーエレクトロニクスの分野で、電力密度、帯域幅、効率、熱伝導性など、デバイス性能に多くの利点をもたらしますが、あらゆる市場でさらにGaNの利用を加速するためには、材料の内部応力や欠陥など、デバイスレベルにおけるそれらの影響に関する研究が必要です。
GEECI はインド屈指のハイテク拠点であるベンガルール市に位置し、同拠点内の複数のテクノロジー大手との強い結びつきがあるため、テクノロジー関連のスタートアップやスピンオフ企業にとって理想的な環境となっています。GEECI 設立の責任者である Srinivasan Raghavan (Vasu) 教授は、「オックスフォード・インストゥルメンツのプラズマテクノロジーの装置や 継続的なプロセスおよびサービスサポート、技術協力は、我々の GaN デバイス開発プログラムにとって極めて重要です。私たちは、オックスフォード・インストゥルメンツと提携し、新しい GaN パイロット生産ラインを確立することで、次世代の GaN スタートアップやスピンアウトをサポートできることを大変嬉しく思っています」と述べています。また、プロセスのエキスパートである Shankar Kumar Selvaraja教授は、「GaNパワーエレクトロニクスと RF エレクトロニクスを可能にする新しいプロセスレシピを開発することを楽しみにしています」と語っています。
プラズマテクノロジーの Ian Wright (アジア営業および事業開発担当副社長)は、「IISc のような権威ある機関に当社の GaN プロセス技術を提供できることを嬉しく思います。最近、インドにおいて当社のソリューションに対する関心が高まっています。これは、政府の補助金提供によって生み出された動きで、この地域のテクノロジー情勢に変化が起きていることを示しています。また当社は、インド向けのサービスやサポートに関するプログラム拡大に積極的に投資しており、変革的な半導体技術の開発と産業の成長を促進する上で不可欠な役割を果たすために、この地域で独自の地位を確立しています」とコメントしています。
オックスフォード・インストゥルメンツは、6月29日から7月1日まで上海で開催される Semicon China 2023 に参加します。Ian Wright とアジアチームは、SiC および GaN パワーデバイス製造のための最新の先進的なソリューションをご紹介する予定です。当社の基板前処理、表面改質、フィーチャーエッチング、ALE、ALD および Etchpoint™プロセスソリューションが、いかに低コストで1日あたりより多くの良品ウェハを製造できるかについて、ご説明いたします。
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本プレスリリースは、イギリス時間6月30日に発表した『A substantial Equipment Shipment to the GEECI in IISc』の抄訳です。