28 November 2023

当社のGaN向けALEおよびALDシステムの受注が増加

オックスフォード・インストゥルメンツ、日本の主要なパワーエレクトロニクスおよびRFデバイスファウンドリー数社からGaN向けALEおよびALDシステムを受注 

当社プラズマテクノロジーは、GaN HEMTデバイス製造用のプラズマ原子層堆積法（ALD）および原子層エッチング法（ALE）について、業界大手の日本のファウンダリー数社から受注を獲得したことを発表しました。これらのシステムは、パワーエレクトロニクスでは消費者向けの急速充電やデータセンター用途、また高周波市場では5G/6G通信用途など、高成長を続けるGaNパワーエレクトロニクスおよび高周波市場を強力にサポートします。

オックスフォード・インストゥルメンツのALD技術により、高スループット、低ダメージプラズマ処理、優れた薄膜および界面品質が実現され、市場をリードするGaN HEMTデバイスメーカーで世界的に採用されています。オックスフォード・インストゥルメンツのp-GaN HEMT向けALEソリューションは、生産基準を満たしており、LayTec AGとのコラボレーションによるユニークなエンドポイント検出ツールであるEtchpoint®により、低ダメージエッチングと比類のない精度を兼ね備えています。

オックスフォード・インストゥルメンツとレイテックとの独占的コラボレーションである Etchpoint® により、標準的な高速エッチングプロセスから低ダメージ ALE への自動切り替えが可能になり、デバイスの信頼性向上をサポートします。さらに、ALEは、次世代GaN MISHEMT Eモードデバイスの機能性を実現するために、±0.5 nmという比類のない精度で、重要なターゲット深さの部分的なAlGaNリセスエッチングを可能にします。これらの技術は、真空中でマルチチャンバー処理を可能にする自動ハンドラーにクラスター化することができ、デバイス性能を向上させ、低コストでより多くの良品ウェハを生産することができます。

「日本では、主要なパワーエレクトロニクスおよびRF市場向けにGaN HEMTの生産が大幅に増加しており、当社は既存および新規のお客様への導入拡大を通じ、好影響を受けています。GaN表面へのプラズマ前処理に 最適化された当社のALDソリューションと、Etchpoint® を用いたALEが、日本および世界の主要なGaN HEMTメーカーに導入されていることは、大変光栄なことです。当社の完璧なまでのGaN HEMTソリューションは、製造レベルのスループット、信頼性、稼働率で、顧客の複雑なデバイスの課題を解決できるように設計されています。オックスフォード・インストゥルメンツ　プラズマテクノロジーのGaN製品マネージャー、アイリーン・オマホニー博士。

オックスフォード・インストゥルメンツは、12月13日～15日に東京で開催されるセミコン・ジャパン2023に参加し、プラズマプロセスおよび装置の専門家チームがブース#5609でお待ちしております。オックスフォード・インストゥルメンツのEtchpoint®付きGaN ALEと前処理付きALD、プラズマ研磨SiC基板の前処理、エッチング、デポジション、および補完的な計測が、半導体デバイス製造における最も困難な問題へのソリューションをどのように提供できるかについてご説明いたします。

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本プレスリリースは、イギリス時間11月23日に発表した『Significant orders of our GaN ALE and ALD Systems』の抄訳です。